深度解析：利用半局域密度泛函合理化金属与半导体的缺陷形成能 —— 从 LDA 到 LAK 的跨尺度性能评估
本文基于最新的计算研究，深入解析了不同密度泛函在金属空位与硅间隙缺陷预测中的精度表现，并首次从泛函 ingredients 角度揭示了 LAK 泛函性能优劣的微观物理机制。
半导体物理
量子尺度下的维度突破：利用 Quantics 提升纳米片多体电子-空穴复合物计算精度
本文深度解析了使用量子化张量列（QTT）方法解决纳米片中激子与三子的高维薛定谔方程，展示了如何在不依赖传统因子化假设的前提下，将 6D 计算内存从 128 TiB 压缩至兆字节量级。
Si/SiGe 纳米结构中谷分裂的精确多谷包络函数理论深度解析
本文深度解析了针对 Si/SiGe 纳米结构中谷分裂问题的精确多谷包络函数理论，探讨了其在处理突变势场时的数学严谨性及其在量子比特设计中的应用价值。