半导体缺陷中心

深度解析：4H-SiC 中电讯级 ClV 缺陷中心的 ODMR 活性——基于多参考波函数理论的研究

2026-02-24

本文深度解析了利用高精度多参考波函数方法（CASSCF-NEVPT2）论证 4H-SiC 中 ClV 缺陷中心在电讯波段具备光检测磁共振（ODMR）活性的前沿科研工作。