通过高通量多参考态计算与配体微调极大化镝配合物的磁各向异性：3万个分子的系统探索
本文解析了 Alessandro Lunghi 团队发表的关于利用自动化 CASSCF 工作流对 30,000 余个镝配合物进行磁各向异性筛选与设计的突破性研究，揭示了第二配位层对极大化晶体场分裂的关键作用。
单分子磁体
铽基单分子磁体磁性的多参考从头算研究：配体场与电子结构的深度解析
本文基于高精度 CASSCF/RASSI-SOI 多参考方法，深入探讨了电荷态、配体环境及几何形变对铽基双层配合物（TbPc2 及 TbPcNc）磁能级与量子隧穿效应的影响，揭示了单分子磁体微观结构与宏观磁性之间的复杂映射关系。
破解多参考模拟成本困境：利用生成式 VAE 与代理训练设计高性能镝单分子磁体
本文深度解析了发表于 arXiv:2602.23230 的研究，探讨如何通过半监督“化学启发代理训练”方法，将生成式模型在昂贵多参考模拟下的训练成本降低两个数量级，并成功设计出具有破纪录磁各向异性的 Dy(III) 配合物。