统一的“静电-自旋”计算框架：非对称多栅 CMOS 量子比特器件的解析建模与 DTCO 突破
本文深度解析了一项连接 CMOS 工艺几何与多体量子自旋态的突破性研究。通过构建全新的“泊松核-耦合界面格林函数”(PK-GF) 降低阶解析模型，研究者实现了毫伏级的静电势精度，并无缝对接高精度的 UHF 与 CASCI 电子填充计算，为半导体量子芯片的设计技术协同优化 (DTCO) 开辟了全新的计算路径。
本文深度解析了一项连接 CMOS 工艺几何与多体量子自旋态的突破性研究。通过构建全新的“泊松核-耦合界面格林函数”(PK-GF) 降低阶解析模型，研究者实现了毫伏级的静电势精度，并无缝对接高精度的 UHF 与 CASCI 电子填充计算，为半导体量子芯片的设计技术协同优化 (DTCO) 开辟了全新的计算路径。