平方晶格 Hubbard 模型的金属-绝缘体交叉：一项基于辅助场量子蒙特卡罗的深度数值研究
本文深入解析了利用辅助场量子蒙特卡罗（AFQMC）方法对平方晶格 Hubbard 模型在半填充状态下的金属-绝缘体交叉（MIC）现象的数值模拟研究，详细探讨了“坏金属”相的形成、热熵异常及 Pomeranchuk 冷却效应。
本文深入解析了利用辅助场量子蒙特卡罗（AFQMC）方法对平方晶格 Hubbard 模型在半填充状态下的金属-绝缘体交叉（MIC）现象的数值模拟研究，详细探讨了“坏金属”相的形成、热熵异常及 Pomeranchuk 冷却效应。