棋盘格晶格中的弱耦合交错磁性与手性磁激发:基于Hubbard模型的深度理论物理解析
本文深度解析了棋盘格晶格中 itinerant 电子的交错磁性(Altermagnetism)不稳定性,结合 Hartree-Fock 平均场与随机相位近似(RPA),阐明了交错磁性半金属及绝缘体相中的电子带结构自旋分裂、非平凡手性马格农激发的物理起源,为自旋电子学器件设计提供了关键的理论微观机理。
本文深度解析了棋盘格晶格中 itinerant 电子的交错磁性(Altermagnetism)不稳定性,结合 Hartree-Fock 平均场与随机相位近似(RPA),阐明了交错磁性半金属及绝缘体相中的电子带结构自旋分裂、非平凡手性马格农激发的物理起源,为自旋电子学器件设计提供了关键的理论微观机理。
本文深度解析了利用 twisted ZnF2 同质双层体系模拟单轨道与双轨道 Hubbard 模型的理论框架,展示了如何在单一 Moiré 器件中同时实现类铜基与类铁基超导物理的模拟。
本论文开创性地将Hartree-Fock自洽场(SCF)问题重新构建为二次无约束自旋/二元优化(QUSO/QUBO)和MaxCut图问题序列,提供了经典性能保证,并为混合量子-经典SCF算法奠定了基础。