深度解析：利用半局域密度泛函合理化金属与半导体的缺陷形成能 —— 从 LDA 到 LAK 的跨尺度性能评估2026-04-08本文基于最新的计算研究，深入解析了不同密度泛函在金属空位与硅间隙缺陷预测中的精度表现，并首次从泛函 ingredients 角度揭示了 LAK 泛函性能优劣的微观物理机制。#密度泛函理论#缺陷形成能#LAK 泛函#VASP#半导体物理#计算材料学